igbt 整流原理
igbt 整流原理：
IGBT等可控元件组成桥式电路，通过控制可控元件的促发时序就能控制某时段电桥的哪一路能导通，这样就实现了整流。
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
220v变12v的变压器接入桥式整流电路中，再并联个25v2200uf的电容做滤波，为何电容会爆炸
220v变12v的变压器接入桥式整流电路中，再并联个25v2200uf的电容做滤波，为何电容会爆炸？
如果电路连接正确，所有元件都是真品正品，电容器是不会爆炸的。
现在爆炸了，原因分析如下：
1、电路连接错误。这个你自己就能检查出来。
2、电源变压器变比错误。这个万用表一量就知道了。
3、电解电容器为伪劣产品。这个只有更换才能验证。
4、输出电流大，造成电容器充放电电流大过热爆炸。
